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三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半导体展会 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技术的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。
三星表示,相较 FinFET,MBCFET 提供了更好的设计灵活性:在传统的 FinFET 结构中,栅极所包裹的鳍片高度是无法调整的;而 MBCFET 则将鳍片横向堆叠在一起,所以纳米片的高度可以自行调整,能提供相对 FinFET 更多的通道宽度选择。
MBCFET 的这一特性为 SRAM 单元设计提供了更大的灵活性,可以在 PMOS 和 NMOS 之间形成最佳平衡。
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